887《信号与系统基础》考试大纲

考试内容：

1.信号与系统的基本概念。信号的描述、分类及典型示例，信号的运算，系统的模型与分类，系统分析方法。

2.连续时间系统的时域分析。系统模型和自然频率，零输入响应与零状态响应，冲激响应与阶跃响应的定义和求解，卷积的定义、性质、计算等，全响应的求解。

3.连续信号频域分析（傅里叶变换）。周期信号的傅里叶级数和典型周期信号频谱，傅里叶变换及典型非周期信号的频谱密度函数，傅里叶变换的性质与运算，周期信号的傅里叶变换，抽样定理、抽样信号的傅里叶变换，连续时间系统的傅里叶分析应用。

4.连续系统频域分析。频域系统函数H(jω)及其求法，系统频率特性，系统零状态响应的频域求解，理想低通滤波器及其特性，信号不失真传输条件。

5.连续系统复频域分析（拉普拉斯变换）。拉普拉斯变换及逆变换，拉普拉斯变换的性质与运算，线性系统拉、周期信号与抽样信号的普拉斯变换求解，S域分析、系统的零极点分析、系统性能判断，线性时不变系统的复频域分析。

6.复频域系统函数H(s)。H(s)定义、分类、求法和零、极点图，系统模拟框图与信号流图，系统频率特性、正弦稳态响应求解以及系统稳定性判定，梅森公式及其应用。

7.离散时间系统的时域分析。离散时间信号的分类与运算，离散信号时域变换、运算以及卷积求和，单位样值响应，离散卷积和的定义、性质与运算等。

8.散时间信号与系统的Z变换分析。Z变换的定义与收敛域和逆Z变换，典型序列的Z变换，Z变换的性质，系统函数H(z)及求法，H(z)零、极点图，离散系统模拟框图与信号流图，离散系统频率特性、正弦稳态响应求解以及稳定性判定，梅森公式及其应用。

9.系统的状态方程分析。连续、离散系统状态方程的建立与求解，系统函数矩阵与单位冲激响应的求解，根据状态方程判断系统的稳定性，状态方程与输出方程的模拟，信号流图的建立、求解与性能分析。

参考书目

郑君里等，《信号与系统（第三版）》，上下册，高等教育出版社，2011.03。

吴大正，杨林耀，张永瑞 等编，《信号与线性系统分析（第四版）》，高等教育出版社，2005.08

Alan V. Oppenheim（艾伦 V.奥本海姆），Alan S.Willsky（艾伦 S.威尔斯基），S.Hamid Nawab（S.哈米得 纳瓦卜）著，《信号与系统（第二版）》，电子工业出版社，2015.04

882《半导体物理与器件》考试大纲

考试内容

1. 半导体中的电子状态：半导体晶体结构与化学键性质;半导体中电子状态与能带;电子的运动与有效质量;空穴和回旋共振;元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。

2. 半导体中杂质和缺陷能级：元素半导体中的杂质能级；化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。

3. 半导体中载流子的统计分布：状态密度及Fermi能级；载流子统计分布；本征和杂质半导体的载流子浓度；补偿半导体的载流子浓度；简并半导体的定义。

4. 半导体的导电性：载流子的漂移运动；迁移率及载流子的散射；迁移率与杂质浓度和温度的关系；电阻率与杂质浓度和温度的关系；强场效应与热载流子。

5. 非平衡载流子：非平衡载流子的产生与复合；非平衡载流子寿命；准费米能级；复合理论及陷阱效应；非平衡载流子的扩散与漂移；爱因斯坦关系及连续性方程。

6. pn结理论：空间电荷区的形成；不同偏压下的pn结能带图及参数变化；内建电势差、势垒电容的定义；单边突变结的特性与属性。

7. pn结二极管基本工作原理：理想pn结电流-电压关系；不同偏压下的pn结电荷流动机制；空间电荷区边缘少子浓度的边缘条件；短二极管及扩散电容；产生与符合电流；雪崩击穿机制。

8. 金-半异质结：肖特基势垒二极管在不同偏压下的能带图；肖特基势垒二极管的原理；欧姆接触及隧道效应；二维电子气的定义。

9. 双极晶体管基本工作原理：双极晶体管的基本结构、原理及少数载流子分布；低频电流增益和非理想效应；双极晶体管的等效电路模型；频率特性和开关特性。

10. 金属-氧化物-半导体场效应结构物理基础：MOS结构的物理性质；能带结构与空间电荷区；平带电压与阈值电压；电容电压特性。

11. MOSFET基本工作原理：MOSFET基本结构；MOSFET电流电压关系；衬底偏置效应；MOSFET的频率特性；闩锁现象。

12. MOSFET器件的深入概念：MOSFET中的非理想效应;MOSFET的按比例缩小理论;小尺寸器件的阈值电压;MOSFET器件的击穿特性。

13. 结型场效应晶体管基本工作原理：JFET和MESFET的基本工作原理；内建夹断电压和夹断电压的定义；JFET非理想效应；